📁 碳化硅栏目

共 2 篇文章

• 电子元器件测试测量新纪元：国产硅片与第三代半导体衬底技术突破解析
  📅 2026-04-06
  本文深度剖析国产半导体材料领域的两大关键进展：大尺寸硅片制造的自主化突破与以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体衬底技术的崛起。文章从技术原理、产业现状出发，探讨这些材料突破如何为电子元器件设计与制造带来变革，并重点分析其对测试测量仪器提出的新要求与带来的新机遇，为行业从业者提供前瞻性技术洞察。
• 电子元器件新纪元：第三代半导体如何驱动中国新能源汽车充电桩与车载电源的未来科技革命
  📅 2026-04-10
  本文深度剖析以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体技术，在中国新能源汽车充电桩与车载电源领域的商业化落地进程。文章将探讨其如何通过提升效率、缩小体积、降低能耗，解决行业核心痛点，并分析其作为关键电子元器件与未来科技，如何重塑新能源汽车的能源补给与电力转换生态，为中国汽车产业的电动化